N-Channel PowerTrench? MOSFET 40 V, 100 A, 1.1 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH? MOSFETs

Dual Cool? packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance ?exibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，40V，248A，1.1mΩ

該 N 溝道 MOSFET 專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān) PWM 控制器來改進總體效率和在最大程度上減少 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的開關(guān)結(jié)點振鈴而設(shè)計。已經(jīng)針對低柵極電荷、低 rDS(on)、快速開關(guān)速度和二極管反向恢復(fù)性能進行了優(yōu)化。 ? 最大 rDS(on) = 1.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 32 A）\n? 最大 rDS(on) = 1.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 27 A）\n? 低 rDS(on)和高效的先進硅封裝\n?下一代先進體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計\n?MSL1 強健封裝設(shè)計\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道雙 CoolTM 56 Power Trench? MOSFET 40V，192A，1.1mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進的 Power Trench?工藝生產(chǎn)。先進的硅技術(shù)和 Dual Cool? 封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同時通過極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。 ?rDS(on)最大值 = 1.1 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 44 A\n?rDS(on)最大值 = 1.5 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 37 A\n?先進的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實現(xiàn)了低 rDS(on) 和高效率\n?下一代增強型體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計\n?MSL1 耐用封裝設(shè)計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體