100V 對稱雙 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 40A，13mΩ

該器件在雙Power 56（5 毫米 X 6 毫米 MLP）封裝中包括兩個快速開關(guān)（QGD最小化）100V N 溝道 MOSFET。封裝增強(qiáng)用于出色的熱性能。 ?最大值 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = 10 V, ID = 10 A 時）\n?最在值 rDS(on) = 20 mΩ（VGS = 6 V, ID = 8 A）\n?低電感封裝縮短了上升/下降時間，從而減少了開關(guān)損耗\n?MOSFET集成可實(shí)現(xiàn)降低電路電感以及開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴噪聲的優(yōu)化布局\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

PowerTrench? Power Stage 100 V Symmetric Dual N-Channel MOSFET

文件：351.29 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Schottky MiniMod

Schottky MiniMod ● Schottky Barrier Rectifier ● Guard ring protection ● 2X40 Amperes avg. ● 175°C junction temperature ● Reverse energy tested ● VRRM 80 to 100 volts ● ROHS Compliant

文件：140.89 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

MICROSEMI

美高森美

Schottky MiniMod

文件：120.74 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

MICROSEMI

美高森美

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Low Temperature Coefficient of RDS(ON) ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·High Speed Switching with Low Capacitances APPLICATIONS ·Charging Piles ·PV Inverters ·Industrial Motors ·Industrial Power Supply

文件：320.12 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages

ISC

無錫固電