N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，6.3mΩ

該N溝道MOSFET專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進總體效率和在最大程度上減少DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)結(jié)點振鈴而設計。已經(jīng)針對低柵極電荷、低rDS(on)、快速開關(guān)速度和軟體二極管反向恢復性能進行了優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 14 A時，最大rDS(on) = 6.3 mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 11 A時，最大rDS(on) = 10.4 mΩ\n?先進的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?下一代先進體二極管技術(shù)，專為軟恢復設計\n?MSL1耐用封裝設計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 6.3 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

CMOS, 6-Bit High-Speed Analog-to-digital Converter

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CMOS, 6-Bit High-Speed Analog-to-digital Converter

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