N 溝道，PowerTrench? SyncFET?，30V，42A，4.9mΩ

FDMS0312S設(shè)計(jì)用于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)完美融合，在保持卓越開關(guān)性能的同時，提供了最低的rDS(on)。 該器件可被額外作為一個有效的單片肖特基體二極管使用。 ?VGS = 10 V，ID = 18 A時，最大rDS(on) = 4.4 mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 14 A時，最大rDS(on) = 5.8 mΩ\n?先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?SyncFET肖特基體二極管\n?MSL1耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? SyncFETTM

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Metal Alloy Inductors

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TOKO

Pushbutton switch, right angle, illumination

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APEX-ELECTRONICS

Pushbutton switch, right angle, illumination

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APEX-ELECTRONICS