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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module

文件：907.81 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

超小型、高性能、高頻DrMOS模塊

XS? DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動器功率級解決方案，適用于高電流、高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用。 FDMF6820B將驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強的、超小型6x6mm封裝中。 通過集成方法，可實現(xiàn)完整開關(guān)功率級的驅(qū)動器、MOSFET動態(tài)性能、系統(tǒng)電感和功率MOSFET RDS(ON)優(yōu)化。 XS? DrMOS采用飛兆半導(dǎo)體公司的高性能PowerTrench? MOSFET技術(shù)，顯著減少開關(guān)振鈴，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。 驅(qū)動器IC通過減少死區(qū)時間和傳播延遲，可進(jìn)一步提高性能。 熱警告功能會發(fā)出 ?超過93%的峰值效率\n?高電流處理能力： 50A\n?高性能PQFN銅片封裝\n?3態(tài)3.3V PWM輸入驅(qū)動器\n?跳躍模式SMOD#（低端柵極關(guān)閉）輸入\n?為過溫情況提供熱警告標(biāo)志\n?驅(qū)動器輸出禁用功能（DISB#引腳）\n?分別為SMOD#和DISB#輸入提供內(nèi)部上拉電阻和下拉電阻\n?飛兆PowerTrench?技術(shù)MOSFET，可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲\n?低端MOSFET中的飛兆SyncFET?（集成肖特基二極管）技術(shù)\n?集成自舉肖特基二極管\n?實現(xiàn)直通保護的自適應(yīng)柵極驅(qū)動時序\n?欠壓閉鎖(UVLO)\n?為實現(xiàn)開關(guān)頻率達(dá)到1MHz而優(yōu)化\n?薄型S;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Package：40-PowerTFQFN；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 全半橋驅(qū)動器 描述：MODULE DRMOS 55A 40-PQFN

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體