雙 N 溝道柵極屏蔽 PowerTrench? MOSFET

該封裝集成兩個在共源配置中內(nèi)部連接的 N 溝道器件，并采用柵極屏蔽技術(shù)。 如此極大地減少了封裝的寄生效應(yīng)，優(yōu)化了到底部共源焊盤的傳熱路徑。 以極小的尺寸 (5 x 6 mm) 實現(xiàn)較高的功率密度。 ? Common source configuration to eliminate PCB routing\n? Large source pad on bottom of package for enhanced thermals\n?屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 10.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）\n? 最大值 rDS(on) = 17.3 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7.8 A）\n?滿足二次側(cè)同步整流靈活布局的需要\n?終端無引線且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

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安捷倫

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是德科技

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