N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，16A，14.3mΩ

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。 該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 ?VGS = 10V，ID = 10.5 A時(shí)，最大rDS(on) = 14.3mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 8.3 A時(shí)，最大rDS(on) = 22.5mΩ\n?高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?終端無(wú)引線且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 30 V, 16 A, 14.3 m

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 9 A, 20.0 m廓

General Description The FDS8882 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on)while maintaining excellent switching performance. Features ?Max rDS(on) =20.0 m?at

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體