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FDMC86340 | N 溝道屏蔽門極 Power Trench? MOSFET 80V,48A,6.5mΩ N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn) Power Trench?工藝制造而成,該工藝集成了屏蔽柵極技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化,適用通態(tài)電阻優(yōu)化,卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n?rDS(on)最大值 = 6.5 mΩ(VGS = 10 V、ID = 14 A)\n?rDS(on)最大值 = 8.5 mΩ(VGS = 8 V、ID = 12 A)\n? 高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?終端為無鉛產(chǎn)品\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn); | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | |
FDMC86340 | N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 80 V, 48 A, 6.5 m廓 文件:348.27 Kbytes 頁(yè)數(shù):7 Pages | FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體 | FAIRCHILD | |
N 溝道,屏蔽門極,PowerTrench? MOSFET,80V,68A,6.5mΩ N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn) PowerTrench? 工藝制造而成,該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻,卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ(VGS = 10 V、ID = 14 A)\n? 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ(VGS = 8 V, ID = 12 A時(shí))\n? 高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?終端為無鉛產(chǎn)品\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\"; | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
DFN8 | ON | ON | ||
Power-33x5-8 | ON 上傳:深圳市金嘉銳電子有限公司 | ON |
技術(shù)參數(shù)
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Channel Polarity:
N-Channel
- Configuration:
Single
- V(BR)DSS Min (V):
80
- VGS Max (V):
±20
- VGS(th) Max (V):
4
- ID Max (A):
48
- PD Max (W):
54
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):
6.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):
31
- Ciss Typ (pF):
2775
- Package Type:
PQFN-8
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
2430+ |
QFN |
8540 |
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詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2025+ |
QFN |
3500 |
原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請(qǐng)找坤融電子! |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
PQFN-8(3.1x3.1) |
11580 |
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詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
FAIRCHILD |
20+ |
QFN |
19570 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
Fairchild |
1930+ |
N/A |
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ON |
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- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
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- TD62308APG
- TD62308AFG
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