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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDMC86340	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道屏蔽門極 Power Trench? MOSFET 80V，48A，6.5mΩ N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn) Power Trench?工藝制造而成，該工藝集成了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)優(yōu)化，適用通態(tài)電阻優(yōu)化，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n?rDS(on)最大值 = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A）\n?rDS(on)最大值 = 8.5 mΩ（VGS = 8 V、ID = 12 A）\n? 高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?終端為無鉛產(chǎn)品\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDMC86340	文件：348.27 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 80 V, 48 A, 6.5 m廓文件：348.27 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDMC86340ET80	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，80V，68A，6.5mΩ N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn) PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A）\n? 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 8 V, ID = 12 A時(shí)）\n? 高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?終端為無鉛產(chǎn)品\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\";	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN8	ON 上傳：深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	ON
FDMD84100	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-33x5-8	ON 上傳：深圳市金嘉銳電子有限公司	ON

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
48
PD Max (W)：
54
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
31
Ciss Typ (pF)：
2775
Package Type：
PQFN-8

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FDMC86340	FAIRCHILD	2430+	QFN	8540	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	FDMC86340	FAIRCHILD/仙童	2025+	QFN	3500	原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請(qǐng)找坤融電子!	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDMC86340	onsemi(安森美)	25+	PQFN-8(3.1x3.1)	11580	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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更多FDMC86340供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:49:00

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