N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100V，47 A，12.8 mΩ

N 溝道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先進 PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝已優(yōu)化實現(xiàn)最小的通態(tài)電阻，同時通過業(yè)界最佳的軟體二極管保持卓越的開關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 12.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 16 A）\n? 最大值 rDS(on) = 34.6 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）\n? 比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%\n? 降低了開關(guān)噪聲/EMI\n? MSL1 強健封裝設(shè)計\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準;

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安森美半導(dǎo)體

N-Channel Shielded Gate PowerTrench

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安森美半導(dǎo)體

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

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安森美半導(dǎo)體

18 (41/34) AWG Tinned Copper

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