絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/apg40n10nf/marking.html">APG40N10NF；Package：DFN5X6-8L；Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel

Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity or Invertors Applications Consumer electronic power supply Motor control Synchronous-rectification Isolated DC Synchronous-rectification application

文件：1.9095 Mbytes 頁數：6 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm

文件：279.71 Kbytes 頁數：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，100V，43A，14mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體公司先進的 PowerTrench? 工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通電阻而定制的。 此器件非常適合需要在小空間內實現低RDS(on)的應用，例如高性能 VRM、POL和 Oring 功能。 ?柵極屏蔽 MOSFET 技術\n?VGS = 10V，ID = 9 A時，最大rDS(on) = 14mΩ\n?最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7 A）\n?通態(tài)電阻 rDS(on)極低的高性能技術\n?終端是符合 RoHS 標準的無鉛產品;

ONSEMI

安森美半導體

N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100 V，43A，14mΩ

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench? process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance. This device is well suited for applications where ultra low RDS(on) is required in small spaces suc ? 擴展額定 TJ 至 175°C\n? 屏蔽柵極 MOSFET 技術\n? 最大值 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A時）\n? 最大值 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V, ID = 7 A時）\n? 高性能技術可實現極低的 rDS(on)\n? 終端無引線且符合 RoHS 標準\";

ONSEMI

安森美半導體