N 溝道屏蔽門極 Power Trench? MOSFET 40V，80A，2.1mΩ

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進 PowerTrench?工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化，適用通態(tài)電阻優(yōu)化，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ?柵極屏蔽 MOSFET 技術(shù) \n?rDS(on)最大值 = 2.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 27 A） \n?rDS(on)最大值 = 3.1 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 22 A） \n?高性能技術(shù)可實現(xiàn)極低的 rDS(on) \n?終端為無鉛產(chǎn)品 \n?100% 經(jīng)過 UIL 測試 \n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道屏蔽門極 Power Trench? MOSFET 40V，141A，2.1mΩ

該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆先進的 PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了屏蔽柵極技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 2.1 mΩ (VGS = 10 V, ID = 27 A)\n? 最大值 rDS(on) = 3.1 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 22 A)\n? 高性能技術(shù)，可實現(xiàn)極低 rDS(on)\n? 終端為無鉛產(chǎn)品\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

2G Blanking Plate - Brushed Brass

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KNIGHTSBRIDGE

2G Blanking Plate - Gunmetal

DESCRIPTION 2G Blanking Plate - Gunmetal

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KNIGHTSBRIDGE

2G Blanking Plate

DESCRIPTION 2G Blanking Plate - Polished Brass

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KNIGHTSBRIDGE