P 溝道 PowerTrench? MOSFET -12V，-80A，3.9mΩ

此 P 溝道 MOSFET 使用同步或傳統(tǒng)的開關 PWM 控制器，專為提高 DC/DC 轉換器的整體效率并最大限度降低其開關節(jié)點振鈴噪聲而設計。已經針對低柵極電荷、低 rDS(on)、快速開關速度和軟體二極管反向恢復性能進行了優(yōu)化。 ? 最大值 rDS(on) = 3.9 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -22 A）\n? 最大值 rDS(on) = 6.4 mΩ（VGS = -2.5 V, ID = -16 A）\n?一流的開關性能\n?更低的輸出電容、柵極電阻和柵極電荷升壓效率\n?屏蔽柵極技術降低了開關節(jié)點振鈴，提高了抗EMI和交叉導通的能力\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

6.0A UITRASOFT RECOVERY BRIDGE

文件：1.23115 Mbytes 頁數：3 Pages

YFWDIODE

佑風微

60.0 Ampere Heatsink Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power

文件：282.51 Kbytes 頁數：2 Pages

THINKISEMI

思祁半導體

60.0 Ampere Heatsink Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power

文件：281.4 Kbytes 頁數：2 Pages

THINKISEMI

思祁半導體