絲?。?strong>FDMC2674；Package：MLP3.3X3.3；N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366mΩ

Features Max rDS(on) = 366mΩ at VGS = 10V, ID = 1.0A Typ Qg = 12.7nC at VGS = 10V Low Miller charge Low Qrr Body Diode Optimized efficiency at high frequencies UIS Capability ( Single Pulse and Repetitive Pulse) RoHS Compliant General Description UltraFET device combines characte

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel UltraFET Trench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366m廓

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仙童半導(dǎo)體

N 溝道，UltraFET Trench MOSFET，220V，7.0A，366mΩ

UltraFET器件結(jié)合了各種特性，可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供基準(zhǔn)效率。 由于針對rDS(on)、低ESR、低總電荷和米勒柵極電荷進(jìn)行了優(yōu)化，這些器件是高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇。 ?VGS = 10 V，ID = 1 A時，最大rDS(on) = 366mΩ\n?VGS = 10V時，典型Qg = 12.7nC\n?低密勒電荷\n?低Qrr體二極管\n?優(yōu)化高頻率時的效率\n?UIS能力（單脈沖和重復(fù)脈沖）\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

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