N 溝道，雙 CoolTM 33 PowerTrench? SyncFETTM，25V，40A，2.0mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)。先進(jìn)的硅技術(shù)和Dual Cool?封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小rDS(on)的同時(shí)通過(guò)極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該器件可被額外作為一個(gè)有效的單片肖特基體二極管使用。 ?Dual Cool?頂側(cè)冷卻PQFN封裝\n?VGS = 10 V，ID = 27 A時(shí)，最大rDS(on) = 2.0mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 22 A時(shí)，rDS(on) = 2.95 mΩ（最大值）\n?通態(tài)電阻 rDS(on)極低的高性能技術(shù)\n?SyncFET肖特基體二極管\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Dual CoolTM PowerTrench? SyncFETTM 25 V, 40 A, 2.0 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

包裝：剪切帶（CT） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：135.76 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：269.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：562.89 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages

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仙童半導(dǎo)體