55 V、15 A、90 mΩ、N 溝道 UltraFET 功率 MOSFET

這些N溝道功率MOSFET采用創(chuàng)新的UItraFET工藝制造。 這種先進(jìn)工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單位硅面積內(nèi)最低的通態(tài)電阻，可以帶來(lái)出色的性能。此器件能夠在雪崩模式下承受高能量并且二極管具有極低的反向恢復(fù)時(shí)間和存儲(chǔ)電荷。 此器件設(shè)計(jì)用于能效非常重要的應(yīng)用，例如開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器、低電壓總線開(kāi)關(guān)以及便攜式設(shè)備和電池供電產(chǎn)品的功率管理。 ?RDS(on)=0.075? （典型值）需 VGS=10V，ID=15A\n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET 55V, 15A, 0.090廓

文件：619.76 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：997.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G15N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件：678.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features ? 15A, 60V(See Note), RDS(on)

文件：362.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

HUASHAN

華汕電子器件