N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，80V，60A，7.8mΩ

N 溝道 MV MOSFET 采用安森美半導(dǎo)體的先進 PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝已優(yōu)化實現(xiàn)通態(tài)電阻最小化，同時保持業(yè)界最佳的軟體二極管 ?屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 7.8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 21 A 時）\n? 最大值 rDS(on) = 19.3 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 時）\n? 比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%\n?降低了開關(guān)噪聲/EMI\n?MSL1 強健封裝設(shè)計\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

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安森美半導(dǎo)體

MOSFET- Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

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安森美半導(dǎo)體

MOSFET- Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

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安森美半導(dǎo)體

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

Features ? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design ? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses ? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses ? LFPAK4 Package, Industry Standard ? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable ? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

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