P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-20V，-9.4A，20mΩ

該器件專為手機(jī)和其他超便攜應(yīng)用中的電池充電或負(fù)載開關(guān)而設(shè)計(jì)。 包含一個具有低導(dǎo)通電阻的MOSFET和齊納二極管防靜電放電保護(hù)。 MicroFET 2X2 封裝因其外形尺寸而具有卓越的熱性能，非常適合線性模式應(yīng)用。 ?VGS = -4.5 V，ID = -9.4 A時，最大rDS(on) = 20mΩ\n?VGS = -2.5 V，ID = -8.6 A時，最大rDS(on) = 24mΩ\n?VGS = -1.8 V，ID = -7.2 A時，最大rDS(on) = 34mΩ\n?薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封裝\n?HBM ESD 保護(hù)電平> 2.8 kV 典型值（注 3）\n?不含有鹵化合物和氧化銻\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Single P-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

3.3V 400mA/250mA Low Dropout Regulator

General Description The G910/G911 positive 3.3V voltage regulator features the ability to source 600mA/250mA+ of output current with a dropout voltage of typically 0.65V/0.25V. A low quiescent current is provided. The typical quiescent current is 0.3mA. Features Dropout voltage typical

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致新科技

3.3V 600mA/250mA Low Dropout Regulator

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致新科技