P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-150V，-1A，1.2Ω

此 P 溝道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先進的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，工藝經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)最低通態(tài)電阻，同時仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? 最大 rDS(on)=1.2 Ω（VGS=-10 V、ID=-1 A）\n? 最大 rDS(on) =1.4 Ω（VGS=-6 V、ID=-0.9 A）\n? 薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封裝\n? 中壓 P 溝道硅技術(shù)的 RDS-on 極低，非常適用于 Qg 較低的情況\n? 本品十分適用于需要快速開關(guān)和負載開關(guān)的場合\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

-150V,P-Channel Power Trench MOSFET

Application Load Switch Active Clamp Switch

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