Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：131.3 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：814.05 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：814.05 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V，2.9A，123mΩ

該器件是專為滿足蜂窩手機和其他超便攜應(yīng)用中的雙開關(guān)要求而設(shè)計的單封裝解決方案。 該器件具有兩個帶低通態(tài)電阻的獨立N溝道MOSFET，可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。 MicroFET 2x2封裝雖然體積小巧，卻能提供出色的熱性能，非常適合線性模式應(yīng)用。 ?2.9 A，30 V\n?RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V\n?RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V\n?薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封裝\n?HBM ESD保護等級 = 1.8kV（注3）\n?符合RoHS標準\n?無任何鹵代化合物和銻氧化物;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體