功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，F(xiàn)RFET?，500 V，45 A，120 m?，TO-247

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。 UniFET FRFET? MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)性能通過壽命控制方式得到加強(qiáng)。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應(yīng)用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性。 該器件系列適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功 ?RDS(on) = 120m? （最大值）@ VGS = 10V, ID = 22.5A\n?低柵極電荷（典型值 105nC） \n?低 Crss（典型值 62pF） \n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試\n?提高了 dv/dt 處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

50A,500V N-Channel Type Planar Process Power MOSFET

ThinkiSemi

思祁半導(dǎo)體