Dual N & P Channel Digital FET

General Description These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designe

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FAIRCHILD

仙童半導體

20V N-Channel P-Channel Enhancement Mode MOSFET |

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TECHPUBLIC

臺舟電子

雙 N 和 P 溝道 數(shù)字 FET，25V

雙N&P溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用了飛兆半導體專有的高單元密度、DMOS技術(shù)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計，以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。 由于不需要偏壓電阻，該雙通道數(shù)字FET可取代數(shù)個具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。 ?N溝道 0.22 A、25 V、RDS(ON) = 4.0 Ω @ VGS= 4.5 V、 RDS(ON) = 5.0 Ω @ VGS= 2.7 V。\n?P溝道 -6 A、-25 V、 RDS(ON) = 10 Ω @ VGS= -4.5 V、RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V。\n?超小封裝外形SC70-6。\n?極低的柵極驅(qū)動要求允許3V電路的直接運行(VGS(th)< 1.5 V)。\n?柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力（>6kV人體模型）。;

ONSEMI

安森美半導體

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 60A

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TEL

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 60A

Features High Surge Capability Types Up to 100 V VRRM

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TEL

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC