Dual P-Channel, Digital FET

General Description These dual P-Channel logic level enhancement mode MOSFET are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a repl

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application Battery protection ? Load switch Power management ? Power Supply Converter Circuits

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TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

Dual P-Channel, Digital FET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙 P 溝道，數(shù)字 FET，-20 V，-0.5 A，780 mΩ

這些雙P溝道邏輯電平增強(qiáng)模式MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號(hào)MOSFET。 -0.5A，-20V\n RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V\n RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V\n 電平柵極驅(qū)動(dòng)要求極低，從而可在3V電路中直接運(yùn)行(VGS(th)< 1.5 V)\n 緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC70-6表面貼裝封裝;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

雙 P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-20 V，-0.5 A，307 mΩ

這些雙P溝道邏輯電平增強(qiáng)模式MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。 此類器件專為雙極數(shù)字晶體管和小信號(hào)MOSFET而設(shè)計(jì) ?-0.5A，-20V\n?RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V\n?RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V\n?極低電平的柵極驅(qū)動(dòng)要求允許直接在3V電路中運(yùn)行(VGS(TH)< 1.5V)。\n?柵-源齊納二極管可增強(qiáng)耐靜電放電能力（>1.4kV人體模型）。\n?緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC-70-6表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體