P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications. Features ? –2 A, –12 V. RDS(ON) = 110 m? @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 150 m? @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 215 m? @ VGS = –

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 20V (D-S) MOSFET

Application ? Interfacing Switching Portable equipment and battery ? Load Switch

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TECHPUBLIC

臺舟電子

P 溝道，1.8V 指定，PowerTrench? MOSFET，-12 V，-2 A，110 mΩ

此P溝道1.8V額定MOSFET是采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)的穩(wěn)固柵極版本。 它已針對電池的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 -2 A，-12V \n RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = 4.5V\n RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 2.5V\n RDS(ON) = 215 mΩ @ VGS = 1.8V\n 低柵極電荷 \n 高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n 緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC70-6表面貼裝封裝;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Sensing element Gauge

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FUJIKURA

N-Channel MOS FET

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SANKEN

三墾

N-Channel MOS FET

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SANKEN

三墾