N 溝道，邏輯電平，PowerTrench? MOSFET，30 V，2 A，120 mΩ

此N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專(zhuān)為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開(kāi)關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 ?2 A，30 A V。 RDS(on) = 0.12 Ω @ VGS = 10 V。 RDS(on) = 0.16 Ω @ VGS = 4.5 V。\n? RDS(on) = 0.12 Ω @ VGS = 10 V\n? RDS(on) = 0.16 Ω @ VGS = 4.5 V\n?低柵極電荷（典型值2.1nC）。\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC70-6表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Sensing element Gauge

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FUJIKURA

Power Schottky Rectifier - 45Amp 45Volt

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SIRECT

矽萊克半導(dǎo)體

Power Schottky Rectifier - 45Amp 45Volt

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矽萊克半導(dǎo)體