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FDFM2P110	文件：521.049 Kbytes Page：7 Pages	Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description FDFM2P110 combines the exceptional performance of Fairchilds PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a MicroFET package. This device is designed specifically as a single package solution for Buck Boost. It features a fa 文件：521.049 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDFM2P110	文件：277.54 Kbytes Page：7 Pages	Integrated P-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode General Description FDFM2P110 combines the exceptional performance of Fairchilds PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a MicroFET package. This device is designed specifically as a single package solution for Buck Boost. It features a fa 文件：277.54 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDFM2P110	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V Integrated P-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode FDFM2P110將飛兆的PowerTrench MOSFET技術(shù)所帶來的卓越性能與正向壓降非常低的肖特基勢壘整流器融合在MicroFET封裝中。該器件專門設(shè)計(jì)用作實(shí)現(xiàn)降壓升壓的單一封裝解決方案。它具有快速開關(guān)、低柵極電荷的MOSFET以及極低的通態(tài)電阻。 ?-3.5A，-20V\n?RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = -4.5V\n?RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = -2.5V\n?薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 3x3 mm封裝;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDFM2P110_0508	文件：277.54 Kbytes Page：7 Pages	Integrated P-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode General Description FDFM2P110 combines the exceptional performance of Fairchilds PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a MicroFET package. This device is designed specifically as a single package solution for Buck Boost. It features a fa 文件：277.54 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
with Schottky Diode
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
-1.5
ID Max (A)：
-3.5
PD Max (W)：
2
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
200
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
140
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3
Ciss Typ (pF)：
280
Package Type：
WDFN-6

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多FDFM2P110供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 13:41:00

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