絲?。?strong>FDD8874；Package：TO-252；30V N -Channel MOSFET

Features ? High performance trench technology for extremely low rDS(ON) ? Low gate charge ? High power and current handling capability ? RoHS Compliant

文件：545.83 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

UMW

友臺半導(dǎo)體

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 30V, ID= 150A RDS(ON)

文件：1.07114 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A

文件：133.86 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A, 5.1m ohm

文件：664.41 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：309.99 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，116A，5.1mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進行了優(yōu)化。 ?RDS(ON) = 5.1 mΩ @ VGS = 10V，ID = 35A\n?RDS(ON) = 6.4 mΩ @ VGS = 4.5V，ID = 35A\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?低柵極電荷\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

包裝：剪切帶（CT） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A, 5.1m ohm

文件：664.41 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體