絲?。?strong>FDD8870；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET

Features High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Low gate charge High power and current handling capability VDS =30V RDS(ON) (at VGS =10V)

文件：389.14 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

UMW

友臺半導(dǎo)體

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

文件：880.09 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：129.12 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：491.42 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：310.03 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

絲?。?strong>FDD8870；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：511.05 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，160A，3.9mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 ?RDS(ON) = 3.9 mΩ, VGS = 10V, ID = 35V\n?RDS(ON) = 4.4 mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35V\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?低柵極電荷\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：491.42 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 160A, 3.9m廓

文件：319.21 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

30 V、160 A、3.2 mΩ、Dual DPAKN 溝道 PowerTrench?

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計的。 已針對低柵極電荷、低 rDS(on) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 rDS(ON) = 3.9m?, VGS = 10V, ID = 35A\n rDS(ON) = 4.4m?, VGS = 4.5V, ID = 35A\n 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(ON)\n 低柵極電荷\n 高功率和高電流處理能力\n 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體