isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 11mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

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ISC

無錫固電

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

文件：986.78 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.01994 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：318.03 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，25V，35A，11mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 ?VGS = 10V，ID = 35A時，最大rDS(on) = 11.0 mΩ\n?VGS = 4.5V，ID = 35A時，最大rDS(on) = 14.0 mΩ\n?低柵極電荷： Qg(10) = 18nC（典型值），VGS = 10V\n?低柵極電阻\n?雪崩額定值，100%經(jīng)過測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體