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FDD86580	文件：352.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 10mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：352.43 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FDD86580	文件：1.05009 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ? VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：1.05009 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
FDD86580-F085	文件：531.06 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>FDD86580；Package：D-PAK；N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：531.06 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDD86580-F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 60/20V 1000A NCnl PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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