isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.1mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

無錫固電

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件：1.09091 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60 V, 50 A, 4.1 m廓

文件：247.22 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 60V，136 A，4.1 mΩ

該N溝道MOSFET專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)總體效率和在最大程度上減少DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)結(jié)點振鈴而設(shè)計。已經(jīng)針對低柵極電荷、低rDS(on)、快速開關(guān)速度和軟體二極管反向恢復(fù)性能進(jìn)行了優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 21.5 A時，最大rDS(on) = 4.1 mΩ\n?VGS = 8 V，ID = 19.5 A時，最大rDS(on) = 5 mΩ\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體