isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=37A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =23mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

無(wú)錫固電

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

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BYCHIP

百域芯

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 37 A, 23 m Ohm

文件：171.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，屏蔽門(mén)極，PowerTrench? MOSFET，80 V，37 A，23 mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)rDS(on)、開(kāi)關(guān)性能以及堅(jiān)固性而優(yōu)化。 ? Shielded Gate MOSFET Technology\n?VGS = 10 V，ID = 8 A時(shí)，最大rDS(on) = 23mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 4.6 A時(shí)，最大rDS(on) = 37 mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?在廣泛使用的表面貼裝封裝中可實(shí)現(xiàn)高功率和高電流處理能力\n?與其他溝道技術(shù)相比，具有極低的Qg和Qgd\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體