Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m廓 P-Channel: -40V, -20A, 54m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m廓 P-Channel: -40V, -20A, 54m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙 N 和 P 溝道，PowerTrench? MOSFET，40V

這些雙 N 和 P 溝道增強(qiáng)模式功率 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ? N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ\n? P-Channel: -40V, -20A, 54mΩ\n? Q1： N 溝道\n? 最大值 RDS(on) = 24 mΩ（VGS = 10 V、ID = 9.0 A）\n? 最大值 RDS(on) = 30mΩ（VGS = 4.5V, ID = 7.0A）Q2： P 溝道\n? Q2: P-Channel\n? 最大值 RDS(on) = 54 mΩ（VGS = -10 V、ID = -6.5 A）\n? 最大值 RDS(on) = 70 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A）\n? 快速開關(guān)\n? 符合RoH;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 m?、DPAK（4 引腳）N 溝道和 P 溝道 PowerTrench?

這些雙 N 溝道和 P 溝道增強(qiáng)模式功率 MOSFET 采用飛兆先進(jìn)的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ\nP-Channel: -40V, -20A, 54mΩ\nQ1： N 溝道\n 最大 rDS(on) = 24 mΩ（需 VGS = 10 V、ID = 9.0 A）\n 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = 4.5 V、ID = 7.0 A）Q2： P 溝道\nQ2: P-Channel\n 最大 rDS(on) = 54 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -6.5 A）\n 最大 rDS(on) = 70 mΩ（需 VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A）\n 快速開關(guān)速度\n 符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體