絲?。?strong>FDD5353；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET

Features RoHS Compliant VDSS = 60V ID(at VGS=10V)10.7A RDS(ON) (at VGS=10V)

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UMW

友臺半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =12.3mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件：993.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel Power Trench? MOSFET 60V, 50A, 12.3m廓

文件：285.67 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，Power Trench? MOSFET，60V，50A，12.3mΩ

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?VGS = 10V，ID = 10.7A時，最大rDS(on) = 12.3 mΩ \n?VGS = 4.5V，ID = 9.5A時，最大rDS(on) = 15.4 mΩ\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Features ? Vos =60V,lo =50A | Roscn

文件：2.12481 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

TECHPUBLIC

臺舟電子