絲印：40P30；Package：TO-252-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Vos=-40V ID=-30 A RDS(ON)

文件：3.39002 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

TECHPUBLIC

臺舟電子

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= -40V, ID= -40A RDS(ON)

文件：822.46 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

BYCHIP

百域芯

40V P-Channel PowerTrench MOSFET -40V -32A 27m ohm

文件：402.71 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件：1.08009 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

絲印：FDD4685；Package：D-PAK；P-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：740.91 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P 溝道 PowerTrench? MOSFET，-40V，-23A，27mΩ

此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench?技術(shù)生產(chǎn)，具有低rDS(on)和良好的開關(guān)性能，在各種應(yīng)用中都具有卓越的表現(xiàn)。 ?VGS = -10V，ID = -8.4A時，最大RDS(on) = 27mΩ\n?VGS = -4.5V，ID = -7A時，最大RDS(on) = 35mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -32A, 35m廓

文件：432.21 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-40 V，-32 A，35 mΩ

P-Channel PowerTrench? MOSFET, -40 V, -32 A, 35 mΩ ?VGS = 10V，ID = 8.4A時，典型rDS(on) = 23m?\n?典型rDS(on) = 30m? （VGS = -4.5V且ID = -7A時）\n?Qg(TOT) = 19nC（典型值）（在VGS = -5V時）\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體