絲印：FDD4141；Package：TO-252；P-Channel MOSFET

Features High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant VDS (V) =-40V RDS(ON)

文件：586.19 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

UMW

友臺(tái)半導(dǎo)體

絲?。?strong>FDD4141；Package：TO-252-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Vos=-40V ID=-50 A RDS(ON)

文件：2.81992 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

絲?。?strong>FDD4141；Package：TO-252；P-Channel MOSFET

Features High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant VDS (V) =-40V RDS(ON)

文件：498.11 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

EVVOSEMI

翊歐

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= -40V, ID= -40A RDS(ON)

文件：822.45 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

BYCHIP

百域芯

P-Channel PowerTrench? MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench? technology to deliver low rDS(on)and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications. and optimized switching performance capability reducing

文件：237.09 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：347.64 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件：1.08022 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

絲?。?strong>FDD4141；Package：D-PAK；P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -50A, 12.3m廓

文件：328.52 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-40V，-50A，12.3mΩ

此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench?技術(shù)生產(chǎn)，用以提供低rDS(on)和優(yōu)化的Bvdss能力，以便在應(yīng)用中提供卓越的性能優(yōu)勢。 以及提供優(yōu)化后的開關(guān)性能，從而減少轉(zhuǎn)換器/逆變器應(yīng)用中的功耗損失。 ?VGS = -10V，ID = -12.7A時(shí)，最大RDS(on) = 12.3 mΩ\n?VGS = -4.5V，ID = -10.4A時(shí)，最大RDS(on) = 18.0 mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -50A, 12.3m廓

文件：272.42 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體