100V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features ? 22 A, 100 V. RDS(ON) = 64 m? @ VGS = 10 V RDS(ON) = 71 m? @ VGS = 6 V ? Low gate charge

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FAIRCHILD

仙童半導體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =64mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：299.55 Kbytes 頁數：2 Pages

ISC

無錫固電

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 100V, ID= 30 A RDS(ON)

文件：1.84476 Mbytes 頁數：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，100V，22A，64mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關PWM控制器來改進DC/DC轉換器整體功效而設計的。 比其他具有可比RDS(ON)規(guī)格的MOSFET相比，這些MOSFET擁有更快的開關速度和更低的柵極電荷。 因此，這是一款更易于驅動且更安全（在高頻段也是如此）的MOSFET，可實現具有更高總效率的DC/DC電源設計。 ?22 A、100 V。\n?RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 10 V\n?RDS(ON) = 71 mΩ @ VGS = 6 V\n?低柵極電荷（28nC，典型值）。\n?快速開關。\n?高性能溝道技術可實現極低的RDS(ON)。\n?高功率和高電流處理能力。;

ONSEMI

安森美半導體