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FDC8602	文件：300 bytes Page：1 Pages	雙 N 溝道屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET，100 V，1.2 A，350 mΩ 這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為實現(xiàn)rDS(on)、開關(guān)性能以及堅固性而優(yōu)化。 ?VGS = 10V，ID = 1.2A時，最大rDS(on) = 350mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 0.9 A時，最大rDS(on) = 575mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?快速開關(guān)速度\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標準;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDC8602	文件：257.87 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 1.2 A, 350 m廓文件：257.87 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
ICS8602	文件：148.71 Kbytes Page：10 Pages	ZERO DELAY, DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL 文件：148.71 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ICST	ICST
ICS8602BT	文件：148.71 Kbytes Page：10 Pages	ZERO DELAY, DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL 文件：148.71 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ICST	ICST
ICS8602BYT	文件：148.71 Kbytes Page：10 Pages	ZERO DELAY, DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL 文件：148.71 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ICST	ICST

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更多FDC8602供應(yīng)商更新時間2026-1-19 16:39:00