Single P-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET -30V, -4A, 50mOhm

General Description This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchilds advanced PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications. Features ■ Max rDS(on) = 50 m @ VGS = -10 V, ID = -4A ■ Max rDS(on) = 75 m @ VGS = -4.5 V, ID = -3.4A ■ Low Gate Ch

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FAIRCHILD

仙童半導體

P-Channel MOSFET

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KEXIN

科信電子

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導體

單 P 溝道，邏輯電平，PowerTrench? MOSFET，-30V，-4A，50mΩ

此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)。 它已針對電池的電源管理應(yīng)用進行了優(yōu)化。 ?VGS = -10 V，ID = -4A時，最大rDS(on) = 50mΩ\n?VGS = -4.5 V，ID = -3.4A時，最大rDS(on) = 75mΩ\n?低柵極電荷 \n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體