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首頁 >FDB8870>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDB8870	文件：328.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=160A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =3.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：328.7 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FDB8870	文件：121.09 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mW 文件：121.09 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDB8870	文件：770.2 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：770.2 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDB8870	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，160A，3.9mΩ 此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計(jì)的。已針對(duì)低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 ?rDS(ON) = 3.9mΩ @ VGS = 10V，ID=35A\n?rDS(ON) = 4.4mΩ @ VGS = 4.5V，ID=35A\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?低柵極電荷\n?高功率和高電流處理能力;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDB8870_08	文件：770.2 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：770.2 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDB8870_10	文件：223.41 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 160A, 3.9m廓文件：223.41 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDB8870_F085	文件：223.41 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：223.41 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDB8870_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 溝道 PowerTrench? 此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計(jì)的。已針對(duì)低柵極電荷、低 rDS(on) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。 rDS(ON) = 3.9m?, VGS = 10V, ID = 35A\n rDS(ON) = 4.4m?, VGS = 4.5V, ID = 35A\n 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(ON)\n 低柵極電荷\n 高功率和高電流處理能力\n 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
160
PD Max (W)：
160
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.9
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
12
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
56
Ciss Typ (pF)：
5200
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多FDB8870供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 9:38:00

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