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          FDB86135

          N 溝道屏蔽門(mén)極 PowerTrench? MOSFET,100V,176A,3.5mΩ

          這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench工藝生產(chǎn),該工藝專(zhuān)為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越的開(kāi)關(guān)性能而量身定制。 ?VGS = 10V,ID = 75A時(shí),最大rDS(on) = 3.5 mΩ\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?低柵極電荷 \n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

          ONSEMI

          安森美半導(dǎo)體

          FDB86135

          N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

          文件:214.35 Kbytes 頁(yè)數(shù):9 Pages

          FAIRCHILD

          仙童半導(dǎo)體

          FDBL0630N150

          PSOF-8L

          ON

          FDBL86063-F085

          MO-299A

          ONSEMI

          安森美半導(dǎo)體

          上傳:深圳深宇韜電子科技有限公司

          FDBL86361-F085

          HPSOF8L

          Onsemi安森美

          技術(shù)參數(shù)

          • Pb-free:

            Pb

          • Halide free:

            H

          • Status:

            Active

          • Channel Polarity:

            N-Channel

          • Configuration:

            Single

          • V(BR)DSS Min (V):

            100

          • VGS Max (V):

            ±20

          • VGS(th) Max (V):

            4

          • ID Max (A):

            176

          • PD Max (W):

            227

          • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

            3.5

          • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

            89

          • Ciss Typ (pF):

            5485

          • Package Type:

            D2PAK-3/TO-263-2

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
          ONSEMI/安森美
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          Fairchild
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          原裝
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          原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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          FAIRCHILD
          24+
          TO263
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          更多FDB86135供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-21 9:23:00
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