isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =5.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5mOhm

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，40V，70A，5.5mΩ

N-Channel PowerTrench? MOSFET, 40V, 70A, 5.5mΩ ?VGS = 10V，ID = 70A時，rDS(on) = 3.9mΩ（典型值）\n?VGS = 10V時，Qg(TOT) = 91nC（典型值）\n?低密勒電荷\n?低Qrr體二極管\n?UIS能力（單脈沖和重復脈沖）\n?符合AEC Q101\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5m廓

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET with Temperature Sensor

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FAIRCHILD

仙童半導體

40 V、70 A、3.9 mΩ、D2PAKN 溝道 PowerTrench?

N-Channel PowerTrench? MOSFET, 40V, 70A, 3.9mΩ 典型 rDS(on) = 3.9 m? （VGS = 10 V、ID = 70 A）\n VGS = 10V時，典型Qg(TOT) = 91nC\n 低米勒電荷\n 低 Qrr體二極管\n UIS 能力（單脈沖和重復脈沖）\n 符合 AEC Q101 標準\n 符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體