N-Channel PowerTrench? MOSFET 150 V, 92 A, 11 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

NCP4306 Synchronous Rectification Evaluation Board Users Manual

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 150V，92A，11m?

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 9.25m? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 92A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷，QG = 47nC（典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體