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首頁 >FDA8440>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDA8440	文件：346.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.1mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：346.87 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FDA8440	文件：340.31 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：340.31 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDA8440	文件：858.28 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：858.28 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDA8440	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，PowerTrench? MOSFET，邏輯電平，40 V，10 A，2.1 mΩ N-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET 40 V, 10 A, 2.1 mΩ\nFairchild’s latest shielded gate PowerTrench? MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification. ?RDS(on) = 1.46m? （典型值） @ VGS = 10V, ID = 80A\n?QG(tot) = 345nC（典型值） @ VGS = 10V\n?低米勒電荷\n?低 Qrr 體二極管\n?UIS 能力（單脈沖和重復(fù)脈沖）\n?保證160A電流持續(xù)2秒\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDA8440_08	文件：858.28 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 文件：858.28 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
100
PD Max (W)：
306
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.1
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
345
Ciss Typ (pF)：
18600
Package Type：
TO-3P-3L

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDA8440	onsemi	25+	TO-3PN	11543	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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