N-Channel UniFETTM MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道 UniFETTM MOSFET 500V，16.5A，380 m?

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。 該器件系列適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。 ?RDS(on) = 380m? （最大值）@ VGS = 10V, ID = 8.3A\n?低柵極電荷（典型值 32nC)\n?低 Crss（典型值 20pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，500 V，16.5 A，380 mΩ，TO-3P

UniFETTMMOSFET 是飛兆半導(dǎo)體的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低導(dǎo)通電阻，并提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。 該器件系列適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示器(FPD)電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。 ?RDS(on) = 310 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V, ID = 8.3 A\n?低柵極電荷（典型值 32 nC)\n?低Crss（典型值 20 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MOSFET 500V 16.5A NCH

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體