isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=76A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 38mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

600V N-Channel MOSFET, FRFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，SUPREMOS?，F(xiàn)RFET?，600 V，72.8 A，38 mΩ，TO-247

SupreMOS? MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體的下一代高壓超級(jí)結(jié)（SJ）技術(shù)，該技術(shù)采用區(qū)別于傳統(tǒng) SJ MOSFET 產(chǎn)品的深溝槽填充工藝。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)和精密的工藝控制提供了最低的 Rsp on-resistance（導(dǎo)通電阻規(guī)格），卓越的開關(guān)性能和耐用性。SupreMOS MOSFET技術(shù)適用于高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應(yīng)用。SupreMOS FRFET? MOSFET 優(yōu)化版的本體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件并提高系統(tǒng)可靠性。 ?RDS(on) = 28.7m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 38A\n?超低柵極電荷（典型值Qg = 230nC )\n?低有效輸出電容（典型值Coss.eff = 896pF )\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

FCA76N60N N-Channel MOSFET 600V, 76A, 36m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 36mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

無錫固電

N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體