N-Channel SuperFET FRFET MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET?，F(xiàn)RFET?， 600 V，47 A，73 mΩ，TO-247

SuperFET?MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體第一代利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET 系列產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化傳導(dǎo)損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET產(chǎn)品非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應(yīng)用。SuperFET FRFET?MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件并提高系統(tǒng)可靠性。 ?650V @TJ = 150°C\n?典型值RDS(on) = 62mΩ\n?快速恢復(fù)類型 ( trr = 240ns )\n?超低柵極電荷（典型值Qg = 210nC )\n?低有效輸出電容（典型值Coss.eff = 420pF )\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

600 V、47 A、66 mΩ、TO-247N 溝道 SuperFET?

SuperFETTM 是飛兆專有的新一代高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，它利用了先進(jìn)的電荷平衡機(jī)制，實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻并更低柵極電荷性能。 這一先進(jìn)技術(shù)是專為最大程度地降低導(dǎo)通損耗，提供卓越開關(guān)性能，以及承受高雪崩和極端 dv/dt 比率而定制的。 因此，SuperFET 特別適合各種車用 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換。 ?典型值 rDS(on) = 66mΩ（VGS = 10V, ID = 47A）\n?典型值 Qg(tot) = 190nC（VGS = 10V, ID = 47A）\n?UIS 能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體