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    FCH170N60

    N-Channel SuperFET? II MOSFET

    文件:624.07 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導(dǎo)體

    FCH170N60

    N-Channel SuperFET II MOSFET

    文件:624.34 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導(dǎo)體

    FCH170N60

    isc N-Channel MOSFET Transistor

    文件:405.36 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    ISC

    無錫固電

    FCH170N60

    功率 MOSFET,N 溝道,SUPERFET? II,F(xiàn)AST,600 V,22 A,170 mΩ,TO-247

    SuperFET? II MOSFET 是 Fairchild 利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié)(SJ)MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項先進(jìn)技術(shù)專用于最小化傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并承受極端 dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET II MOSFET 適用于系統(tǒng)小型化和高效化的各種 AC-DC 功率轉(zhuǎn)換。 ?650 V @TJ = 150°C\n?典型值 RDS(on) = 150 mΩ?\n?超低柵極電荷(典型值 Qg = 42 nC)\n?低有效輸出電容(典型值 Coss(eff.) = 190 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    技術(shù)參數(shù)

    • Pb-free:

      Pb

    • Halide free:

      H

    • Status:

      Active

    • Channel Polarity:

      N-Channel

    • Configuration:

      Single

    • V(BR)DSS Min (V):

      600

    • VGS Max (V):

      DC

    • VGS(th) Max (V):

      3.5

    • ID Max (A):

      22

    • PD Max (W):

      227

    • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

      170

    • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

      42

    • Ciss Typ (pF):

      2150

    • Package Type:

      TO-247-3

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    onsemi(安森美)
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    TO-247-3
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    ONSemiconductor
    24+
    NA
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    TO247
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    TO-247
    326
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    Fairchild/ON
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    TO2473
    9000
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    FAIRCHILD/仙童
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    TO-247
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    一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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    安森美
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    全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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    FAIRCHILD/仙童
    2022+
    TO-247
    30000
    進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對原裝 假一罰十
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    Fairchild
    23+
    33500
    詢價
    更多FCH170N60供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 14:49:00

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