功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? II，Easy Drive，600 V，23 A，165 mΩ，TO-247

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。因此，與 SuperFET II MOSFET 系列相比，SuperFET II MOSFET 易驅(qū)系列提供略為緩慢的上升和下降時(shí)間。 注意以“E”作為部件編號(hào)后綴的系列產(chǎn)品有助于控制 EMI 問題和允許更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)實(shí)施。 若要在開關(guān)損耗必須是絕對(duì)最小值的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快速開關(guān)，請(qǐng)考慮 SuperFET II MOSFET 系列。 ?650 V @TJ= 150°C\n?典型值 RDS(on) = 132 mΩ\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 57 nC)\n?低有效輸出電容（典型值 Coss(eff) = 204 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

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ISC

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