isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 72mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

無錫固電

Telecom / Sever Power Supplies

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? II，F(xiàn)AST，600 V，52 A，72 mΩ，TO-247

SuperFET? II MOSFET 是 Fairchild 利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項先進技術(shù)專用于最小化傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并承受極端 dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 適用于系統(tǒng)小型化和高效化的各種 AC-DC 功率轉(zhuǎn)換。 ?650 V @ TJ = 150°C\n?典型值 RDS(on) = 66 mΩ\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 95 nC)\n?低有效輸出電容（典型值 Coss(eff.) = 421 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel SuperFET? II FRFET? MOSFET

Description SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technologyfor outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimizeconducti

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

FCH072N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 52 A, 72 m廓

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仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

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FCH072N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 52 A, 72 m廓

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仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? II，F(xiàn)RFET?，600 V，52 A，72 mΩ，TO-247

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應(yīng)用。 SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。 ? 650V @TJ = 150°C ·典型值 RDS(on)= 65 mΩ \n?超低柵極電荷（典型 Qg= 165 nC) \n?低等效輸出電容（典型值 Coss(eff.)= 441 pF) \n?全部經(jīng)雪崩測試 \n?符合 RoHS 標準符合\n?RoHS Compliant Compliant;

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安森美半導(dǎo)體