N-Channel SuperFET? II FRFET? MOSFET

Description SuperFET? II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

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FAIRCHILD

仙童半導體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 41mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

無錫固電

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? II，F(xiàn)RFET?，650 V，76 A，41 mΩ，TO-247

SuperFET? II MOSFET 是 Fairchild 全新的高壓超結 (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品，運用電荷平衡技術，可實現(xiàn)卓越的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。 該技術專為最大程度地減少導通損耗，提供較高的開關性能、dv/dt 速率和較高的雪崩能量而設計。 因此，SuperFET MOSFET 非常適合開關電源應用，如功率因數(shù)校正 (PFC)、服務器/電信電源、FPD 電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應用。 SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復性能可去除額外元件并提高系統(tǒng)可靠性。 ?700 V @ TJ = 150°C\n?典型值 RDS(on) = 36 mΩ\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 226 nC)\n?低有效輸出電容（典型值 Coss(eff.) = 843 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

N 溝道 SuperFET II? FRFET MOSFET 650V，76A，34mΩ

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術實現(xiàn)出色的低導通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結 (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項技術專用于最小化導通損耗并提供卓越的開關性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此 SuperFETII 非常適合軟開關和硬開關拓撲，如高電壓全橋和半橋 DC-DC、交錯式 PFC 升壓、HEV-EV 汽車 PFC 升壓。 SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復性能可去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。 ? 典型值 RDS(on) = 34 mΩ（VGS = 10 V、ID = 38 A）\n? 典型值 Qg(tot) = 234 nC（VGS = 10 V、ID = 38 A）\n? UIS 能力\n? 符合 AEC Q101 標準\n? 符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體